Прошло всего каких-то несколько дней с тех пор, как Intel объявила о своем эпохальном (по оценкам некоторых экспертов) прорыве в области технологии производства микросхем (см. нашу статью www.terralab.ru/system/30717), как 24 ноября поздним промозглым вечером по московскому времени (и солнечным утром по калифорнийскому O) корпорация сообщила еще одну удивительную новость из той же области — изготовлена первая в мире микросхема с использованием техпроцесса 65 нм. Ею оказалась полнофункциональная статическая память (SRAM) объемом 4 Мбит с уникально компактной шеститранзисторной ячейкой площадью лишь 0,57 квадратных микрон (или 0,1 кв. микрон на один транзистор). >>> |