Созданная в 1966 году Робертом Деннардом из исследовательского центра Уотсона корпорации IBM, ячейка DRAM из одного транзистора и конденсатора оказалась на редкость удачным изобретением. Успех DRAM в основном обусловлен уникальным для полупроводниковой памяти соотношением емкость/цена и невысоким тепловыделением. Другой весомый плюс DRAM (и других разновидностей твердотельной памяти) — возможность наращивания пропускной способности путем модификации одного лишь интерфейса. >>> |
Quad Band Memory (QBM): новый стандарт против DDRII и RDRAM
