На протяжении многолетнего развития технологии динамической памяти двумя определяющими факторами увеличения пропускной способности являлись и являются в настоящее время наращивание ширины шины данных и частоты функционирования, что влечет за собой разработку новых интерфейсных решений. Сначала это были модули SIMM с однобайтной шиной данных, насчитывающие до восьми микросхема памяти. Однако эволюция в этом секторе заменила следующее поколение 32bit SIMM на восьмибайтные модули DIMM. >>> |
RAMBUS DRAM: очередной виток технологии
